Fjus Kap ta 'Ġewwa ta' Barra

 

Xiamen Apollo ilu jiffoka fuq ir-riċerka, l-iżvilupp u l-produzzjoni ta 'tappijiet ta' ġewwa u ta 'barra tal-fjus għal 20 sena. Bħala l-fabbrika tas-sors, tipprovdi komponenti ta 'fjus tar-ram/ram ta' preċiżjoni-għoli u ta 'affidabbiltà għolja- lill-klijenti globali bil-workshop tal-moffa tagħha, linja ta' produzzjoni kompletament awtomatika, u sistema stretta ta 'kontroll tal-kwalità. Din li ġejja hija analiżi teknika ta 'Tappijiet ta 'ġewwa tar-ram għall-Fjus EV, Tappijiet ta' ġewwa tar-ram għal Fjus PV, Tappijiet ta 'barra tar-ram għal Fjus EV, u Tappijiet ta' barra miksija bin-nikil- għal Fjus PV :

 

 

 

1. Brass Inner Cap għal EV Fuse (ram H65/H68)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.1 Vantaġġi materjali:Magħmul minnH65/H68 ram ta' konduttività għolja-(kontenut tar-ram Ikbar minn jew ugwali għal 65%), konduttività akbar minn jew ugwali għal 28% IACS, duttilità eċċellenti (titwil akbar minn jew ugwali għal 15%), adattat għall-ittimbrar ta 'preċiżjoni.

 

Oġġett	Indiċi (Ħu ram H65 bħala eżempju)	Standard tat-test	Medja tal-industrija
Kontenut tar-ram (Cu)	64.5-65.5%	GB/T 5231-2012	62-63% (materjal H62)
Kontenut taċ-ċomb (Pb)	Inqas minn jew ugwali għal 0.03% (grad ta' protezzjoni ambjentali)	RoHS 2.0	0.05-0.08%
Saħħa tat-tensjoni	Iktar minn jew ugwali għal 390MPa (stat iebes)	GB/T 2040-2017	350MPa
Ebusija Vickers (HV)	150-180 (stat semi-hard, mhux obbligatorju)	GB/T 4340.1-2009	120-140
Titwil	Iktar minn jew ugwali għal 15% (biex tiġi żgurata l-ebusija tal-ipproċessar)	GB/T 228.1-2010	10-12%

 

1.2 Proċess ta 'produzzjoni:strixxa tar-ram ittimbrar → tindif ultrasoniku → kisi tal-landa jew kisi tan-nikil jew kisi tal-fidda → spezzjoni ta 'kwalità → ippakkjar u kunsinna.

1.3 Applikazzjoni:fjusis ġodda tal-vetturi tal-enerġija, fjusis fotovoltajċi u tal-ħażna tal-enerġija, fjusis tal-enerġija, eċċ.

 

2. Brass Inner Cap għal Fjus PV (ram H65/H68)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.1 Vantaġġi materjali:H65/H68 ram ram ta 'saħħa-għoli (qawwa tat-tensjoni Akbar minn jew ugwali għal 400MPa), adattat għal xenarji ta' kurrent għoli (kurrent nominali 100A +), ir-reżistenza għall-erożjoni tal-ark żdiedet bi 30%.

 

2.2 Proċess tal-produzzjoni:strixxa tar-ram ittimbrar → tindif ultrasoniku → kisi tal-landa jew kisi tan-nikil jew kisi bil-fidda (Jekk meħtieġ) → spezzjoni ta 'kwalità → ippakkjar u kunsinna.

2.3 Applikazzjoni:fjusis ġodda tal-vetturi tal-enerġija, fjusis fotovoltajċi u tal-ħażna tal-enerġija, fjusis tal-enerġija, eċċ.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3. Kap ta 'barra tar-ram għal Fjus EV (ram T2Y2)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3.1 Vantaġġi materjali:Ram T2Y2 (purità tar-ram Akbar minn jew ugwali għal 99.9%), konduttività akbar minn jew ugwali għal 98% IACS, densità tal-proċess tal-forġa kiesħa sa 8.9g/cm³, li tiżgura reżistenza ta 'kuntatt ultra-baxxa (Inqas minn jew ugwali għal 0.2mΩ).

 

Proġett	Ram T2 (GB/T 2040)	Ram ordinarju (T3)	Ram (H62)	Valur ewlieni
Kontenut tar-ram	Iktar minn jew ugwali għal 99.90%	99.7%	62%	Purità għolja tiżgura konduttività elettrika (58MS/m), konduttività termali (385W/(m·K))
Kontenut ta' ossiġnu	Inqas minn jew ugwali għal 0.02%	0.05%	-	Riskju baxx ta 'fraġilità ta' l-ossiġnu, adattat għal proċessi ħarxa bħall-iwweldjar u t-tpinġija fil-fond
Stat (Y2)	Semi-stat iebes (HV80-110)	Stat artab (HV60)	Stat kumpless (HV150)	Elastiċità tal-bilanċ (saħħa ta' rendiment 195MPa) u proċessabilità (titwil akbar minn jew ugwali għal 20%)
Impuritajiet totali	Inqas minn jew ugwali għal 0.1%	0.3%	-	RoHS-konformi, mingħajr ċomb-(Pb Inqas minn jew ugwali għal 0.005%), adattat għall-industrija medika

 

Preċiżjoni tal-katina tad-dimensjoni

 

Parti	Firxa ta 'tolleranza	Ħruxija tal-wiċċ (Ra)	Għodda ta 'skoperta	Paragun tal-industrija
Dijametru ta' barra (OD)	±0.05mm (IT9)	1.6μm	Proġekter	Partijiet ordinarji ± 0.1mm, adattati għal tubi tar-ram ta 'preċiżjoni
Ħxuna tal-ħajt	± 0.08mm	-	Gauge tal-ħxuna ultrasoniku	L-uniformità żdiedet b'20%, tnaqqas it-tnixxija tal-welding
Angolu tal-kon ta 'ġewwa	±1 grad	-	Strument tal-kejl tal-angolu	Żgura mili uniformi tal-istann waqt l-ibbrejżjar
Vertikalità tal-wiċċ tat-tarf	Inqas minn jew ugwali għal 0.05mm/m	-	Ħakkiem kwadru + gauge tal-fessu	Anti{0}}assemblaġġ skew, affidabilità tas-siġillar ↑35%

 

3.2 Proċess ta 'produzzjoni:strixxa tar-ram ittimbrar → tindif ultrasoniku → kisi tal-landa jew kisi tan-nikil jew kisi tal-fidda → spezzjoni ta 'kwalità → ippakkjar u kunsinna.

3.3 Applikazzjoni:fjusis ġodda tal-vetturi tal-enerġija, fjusis fotovoltajċi u tal-ħażna tal-enerġija, fjusis tal-enerġija, eċċ.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Għaliex tagħżel l-għatu ta 'barra tar-ram T2Y2?

 

Dimensjonijiet	Il-vantaġġi tagħna	Nuqqasijiet kompetittivi	Benefiċċji tal-akkwist
Materjali kontrollabbli	T2Y2 ram 99.99% ram pur	Ram riċiklat, purità instabbli	Konsistenza tal-lott CPK Akbar minn jew ugwali għal 1.67, tnaqqas l-ispejjeż tal-ispezzjoni tal-kwalità
Flessibilità tal-proċess	Jappoġġja tnaqqija u tiġbid (ħxuna tal-ħajt 0.5-3.0mm), flanging kumpless	Tidwir sempliċi biss	Adatta għal aktar minn 90% ta' interfaces b'forma-speċjali, u jqassar iċ-ċiklu tal-ftuħ tal-moffa tal-klijent
Endorsjar ta' ċertifikazzjoni	Ipprovdi RoHS, REACH, uĊertifikazzjoni IATF16949	Ċertifikazzjoni ISO bażika biss	L-esportazzjoni lejn l-Ewropa u l-Istati Uniti ma teħtieġx ittestjar addizzjonali, u tiffranka l-ispejjeż taċ-ċertifikazzjoni
Ottimizzazzjoni tal-ispejjeż	Linja ta' produzzjoni awtomatizzata + produzzjoni fuq skala kbira-, il-prezz tal-unità huwa 30% inqas mill-partijiet importati	Produzzjoni ta 'workshop żgħir, rata ta' rendiment<90%	Rata ta 'rendiment 98.5%, tnaqqis fl-ispiża moħbija b'20%

 

4. Nikil-Kap ta' Barra għal Fjus PV

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4.1 Vantaġġi materjali:T2Y2 ramsottostrat + kisi tal-fidda tal-wiċċ (ħxuna 3-5μm, speċifiku skont il-ħtiġijiet tal-klijent), reżistenza għat-temperatura għolja sa 200 grad, reżistenza għall-kuntatt Inqas minn jew ugwali għal 0.1mΩ.

 

Oġġett	Indiċi (T2 tar-ram + 3μm kisi bil-fidda)	Standards tal-industrija fotovoltajka	Tqabbil ma' prodotti li jikkompetu (ram-plated)
Kontenut tar-ram (Cu)	Iktar minn jew ugwali għal 99.99% (GB/T 2059-2017 T2 grad)	IEC 62730 (ram għal konnetturi fotovoltajċi)	99.5% (grad T3)
Ħxuna tal-kisi tal-fidda	3-5μm (uniformità ± 10%)	UL 486A (rekwiżiti tal-kisi tat-terminali)	1-2μm (faċli biex tilbes)
Reżistività tal-wiċċ	Inqas minn jew ugwali għal 0.017μΩ·m (20 grad)	TÜV Reżistenza tal-kuntatt Inqas minn jew ugwali għal 0.5mΩ	0.021μΩ·m
Test tal-isprej tal-melħ (96h)	L-ebda kulur, l-ebda korrużjoni (ASTM B117)	Rekwiżiti ta 'reżistenza għall-korrużjoni ta' 10 snin fotovoltajċi fil-beraħ	Is-sadid abjad jidher fi 48h
Reżistenza għall-ossidazzjoni tat-temperatura għolja-(200 grad × 1000h)	Żieda fil-piż Inqas minn jew ugwali għal 0.5mg/cm² (JIS H8500)	IEC 61215 (reżistenza UV tal-komponenti)	Żieda fil-piż 2mg/cm²

 

4.2 Proċess tal-produzzjoni:strixxa tar-ram ittimbrar → tindif ultrasoniku → kisi tal-landa jew kisi tan-nikil jew kisi tal-fidda → spezzjoni ta 'kwalità → ippakkjar u kunsinna.

4.3 Applikazzjoni:fjusis ġodda tal-vetturi tal-enerġija, fjusis fotovoltajċi u tal-ħażna tal-enerġija, fjusis tal-enerġija, eċċ.

 

 

 

 

 

 

1. Kapaċitajiet ta' manifattura fuq skala kbira-
Skala ta 'workshop: 12,000 metru kwadru ta' bini ta 'fabbriki ta' -propjetà personali, mgħammra b'20 linja ta 'produzzjoni ta' ttimbrar / intestatura kiesħa kompletament awtomatika, b'kapaċità ta 'produzzjoni ta' kull xahar ta 'aktar minn 50 miljun biċċa.
Teknoloġija tal-moffa: forom progressivi ta'-preċiżjoni għolja ddisinjati waħedhom-(tul il-ħajja 30 miljun darba+), li jappoġġjaw proofing rapidu fi żmien 72 siegħa.

 

2. Sistema ta' kontroll tal-kwalità tal-proċess sħiħ-
Tagħmir tal-ittestjar: X-spettrometru tal-fluworexxenza tar-raġġi (analiżi tal-kompożizzjoni tal-materjal), proġettazzjoni (eżattezza dimensjonali ± 0.01mm), tester tal-kontinwità ta 'vultaġġ għoli- (reżistenza tal-vultaġġ 5kV).
Kwalifiki taċ-ċertifikazzjoni:ISO 9001, IATF 16949, RoHS/REACHrapport ta' konformità.

 

3. Teknoloġija R&D u Privattivi
Privattivi ta 'invenzjoni: Il-kumpanija għaddiet diversi ċertifikazzjonijiet tas-sistema ta' kwalità: ISO9001-2015, IATF16949, ROHS, REACH, eċċ.

 

4. Każijiet tal-Klijent
Mexxejja tal-industrija: Chint Electric, Schneider, ABB (fornitur tat-tieni-saff), fornitur ta' appoġġ fotovoltajku ta' Huawei.
 

5. Vantaġġi ewlenin tal-fabbrika tas-sors

 

Appoġġ Tekniku	Is-sinsla teknika tal-kumpanija ġejja minn Xiamen Hongfa Group, kumpanija elenkata tal-istat-(in-numru wieħed fid-dinja fl-industrija tar-relay u l-iswiċċ), b'aktar minn 30 sena esperjenza fl-industrija tal-elettriku. Jista' mhux biss jipprovdi lill-klijenti b'Tappijiet ta' barra ta' ġewwa tal-Fjus kwalifikati iżda wkoll jipprovdi lill-klijenti b'soluzzjonijiet ta' iffrankar ta' spejjeż u effiċjenza-u l-aħħar teknoloġiji tal-industrija.
Kapaċitajiet ta' Personalizzazzjoni	Appoġġ mhux-personalizzazzjoni tad-daqs/plating/logo standard.
Garanzija ta' Kunsinna	1-2 ijiem għal kampjuni b'xejn, 20-30 jum għal kampjuni ta 'moffa ġodda (inklużi forom ġodda u kampjuni ġodda), 15-20 jum għal ordnijiet bl-ingrossa (wara l-konferma tal-ordni u l-ħlas)

 

 

 

 

It-tags Popolari: għatu ta 'barra ta' ġewwa tal-fjus, għatu ta 'ġewwa tal-fjus, għatu ta' barra tal-fjus, għatu tal-fjus EV, għatu tal-fjus PV, għatu tal-fjus tar-ram, għatu tal-fjus tar-ram, manifattur tal-kappa tal-fjus, komponenti tal-fjusijiet tal-vetturi elettriċi, partijiet tal-fjusijiet fotovoltajċi, komponenti tal-fjus tal-ħażna tal-enerġija, partijiet tal-fjusijiet tal-ittimbrar tal-metall tad-dwana